知识导航
资源分类

聚酰亚胺纳米杂化薄膜绝缘材料77K下的电击穿性能研究

聚酰亚胺纳米杂化薄膜绝缘材料77K下的电击穿性能研究

Electric breakdown strength of polyimide hybrid films at 77K

Electric breakdown strength of polyimide hybrid films at 77K

doi:
10.3969/j.issn.1009-9239.2005.05.008
摘要:
介绍了 77K下薄膜状绝缘材料电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺 /蒙脱土、聚酰亚胺 /云母、聚酰亚胺 /SiO2 三个系列的低温电气强度.结果表明:前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同,均存在最佳填料含量,聚酰亚胺 /蒙脱土电气强度最佳可达 215.77MV/m;对于聚酰亚胺 /SiO2系列,电气强度比纯 PI薄膜略有下降,且含量较高时下降明显,但仍然可以满足应用的要求.
作者 李元庆 付绍云
Author: LI Yuan-qing FU Shao-yun
作者单位 中国科学院理化技术研究所,北京,100080
期 刊: 绝缘材料 ISTIC EI SCI PKU CSSCI
Journal: INSULATING MATERIALS
年,卷(期) 2005, 38(5)
分类号 TM215.3 TQ323.7
关键词: 纳米杂化材料 知识脉络 聚酰亚胺 知识脉络 蒙脱土 知识脉络 聚酰亚胺 知识脉络 云母 知识脉络 氧化硅 知识脉络 低温电气强度 知识脉络
机标分类号 O48 TQ3
基金项目 中国科学院"百人计划",北京市科委科研项目
参考文献和引证文献
返回顶部参考文献
返回顶部引证文献
返回顶部本文读者也读过
返回顶部相似文献
返回顶部相关博文

知识产权声明| 服务承诺| 联系我们| 人才招聘| 客户服务| 关于我们

京ICP证:010071  互联网出版许可证:新出网证(京)字042号  京公网安备11010802020237号
万方数据知识服务平台--国家科技支撑计划资助项目(编号:2006BAH03B01)©北京万方数据股份有限公司  万方数据电子出版社