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SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁及防护试验研究

SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁及防护试验研究

Experimental Study on Single Event Latchup of SRAM K6R4016V1D and Its Protection

Experimental Study on Single Event Latchup of SRAM K6R4016V1D and Its Protection

doi:
摘要:
本工作利用脉冲激光单粒子效应模拟试验装置对三星公司的SRAM K6R4016V1D进行了单粒子闩锁效应试验研究.试验测得了此器件的单粒子闩锁效应脉冲激光能量阈值、闩锁截面曲线和闩锁电流.针对这款器件,还对工程中防护闩锁过流常用的限流和断电方法进行了试验研究.试验结果表明,该器件具有非常低的单粒子闩锁效应阈值能量和很高的闩锁饱和截面,对空间辐射环境极其敏感.
作者 余永涛 [1] 封国强 [2] 陈睿 [2] 上官士鹏 [2] 韩建伟 [2]
Author: YU Yong-tao[1] FENG Guo-qiang[2] CHEN Rui[2] SHANGGUAN Shi-peng[2] HAN Jian-wei[2]
作者单位
  1. 中国科学院空间科学与应用研究中心,北京100190;中国科学院研究生院,北京100049
  2. 中国科学院空间科学与应用研究中心,北京,100190
期 刊: 原子能科学技术 ISTIC EI SCI PKU CSSCI
Journal: Atomic Energy Science and Technology
年,卷(期) 2012, 46(z1)
分类号 TN406
关键词: 脉冲激光 知识脉络 单粒子闩锁效应 知识脉络 限流电阻 知识脉络 断电解除闩锁 知识脉络
机标分类号 TP3 TN4
基金项目 国家自然科学基金资助项目,中国科学院知识创新工程青年基金资助项目,基础科研项目资助,中国科学院支撑技术项目资助
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