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基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分析

基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分析

Analysis of Affecting Factors of Transient Ionizing Radiation Effects on BiMOS Op-amp by Orthogonal Design

Analysis of Affecting Factors of Transient Ionizing Radiation Effects on BiMOS Op-amp by Orthogonal Design

doi:
摘要:
利用正交设计法设计了实验方案,可通过较少的实验获得满意的实验结果.在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到不同因素对恢复时间产生影响的主次顺序和显著水平,以及运算放大器在瞬时电离辐射环境下的最劣偏置条件.
作者 马强 林东生 金晓明 陈伟 杨善潮 李瑞宾 齐超 王桂珍
Author: MA Qiang LIN Dong-sheng JIN Xiao-ming CHEN Wei YANG Shan-chao LI Rui-bin QI Chao WANG Gui-zhen
作者单位 西北核技术研究所,陕西西安,710024
期 刊: 原子能科学技术 ISTIC EI SCI PKU CSSCI
Journal: Atomic Energy Science and Technology
年,卷(期) 2012, 46(z1)
分类号 TN431 TN792
关键词: 正交设计 知识脉络 瞬时电离辐射 知识脉络 BiMOS 知识脉络 最劣偏置 知识脉络
机标分类号 TN4 TP3
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