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电源学报
Journal of power supply 전원학보
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期刊信息
主管单位：
国家海洋局
主办单位：中国电源学会,国家海洋技术中心
主 编：韩家新
国内刊号：12-1420/TM
国外刊号： 地 址：天津市南开区黄河道467号大通大厦16层
邮 编：300110
电 话：022-27686327
网 址：www.jops.cn
电子邮件：dianyuan@126.com
2016年4期
- 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战 何亮 刘扬
- 选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究 杨帆 何亮 郑越 沈震 刘扬
- 适用于电动汽车的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究 赵波 周哲 徐艳明 李虹 郑琼林
- 改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型 李勇杰 陈伟伟 周郁明
- 1200 V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究 李磊 宁圃奇 温旭辉 张栋
- SiC MOSFET特性及其应用的关键技术分析 张斌锋 许津铭 钱强 张曌 谢少军
- 基于碳化硅功率器件的宽输入电压双管正激式直流电源研究 王长庚 谢敬仁 沙龙
- 基于新型1200 V碳化硅（SiC）MOSFET的三相双向逆变器的研究 刘学超 黄建立 叶春显
- SiC MOSFET在航空静止变流器中的应用研究 葛小伟 张瞾 曹鸿 谢少军
- 基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因数校正器 严阳 吴新科 盛况
- 基于GaN FETs的高频半桥谐振变换器分析与设计 管乐诗 卞晴 刘宾 王懿杰 张相军 徐殿国 王卫
- 基于GaN器件Buck电路死区功耗分析与优化 胡官昊 陈万军 施宜军 周琦 张波
- 基于GaN器件LLC谐振变换器的平面变压器优化设计 谭琳琳 王康平 宇文甸 杨旭
- 基于封装集成技术的高功率密度碳化硅单相逆变器 李宇雄 黄志召 方建明 陈材 康勇
- 共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究 董泽政 吴新科 盛况 张军明
- 宽禁带器件在电动汽车中的研究和应用 董耀文 秦海鸿 付大丰 徐华娟 严仰光
- 耐高温变换器研究进展及综述 谢昊天 秦海鸿 董耀文 徐华娟 付大丰 严仰光
- 高压SiC器件在FREEDM系统中的应用 倪喜军
- 双馈风电机组并网次同步振荡研究 禹华军
- 《电源学报》2015年度优秀论文获奖名单
- 宽禁带功率电子器件及其应用专辑特邀主编述评 谢少军 吴新科
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