首页 > 高深宽比微细结构电铸方法
专利类型: | 发明专利 |
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申请(专利)号: | CN200610096756.6 |
申请日期: | 2006年10月13日 |
公开(公告)日: | 2007年5月9日 |
公开(公告)号: | CN1958862 |
主分类号: | C25D1/00,C,C25,C25D,C25D1 |
分类号: | C25D1/00,C,C25,C25D,C25D1 |
申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
发明(设计)人: | 朱 荻,曾永彬,曲宁松 |
主申请人地址: | 210016江苏省南京市御道街29号 |
专利代理机构: | 南京苏高专利事务所 |
代理人: | 阙如生 |
国别省市代码: | 江苏;32 |
主权项: | 权利要求书1、一种高深宽比微细结构电铸方法,其特征在于包括以下步骤:(1)、根据零件的形状和尺寸设计制作屏蔽电场用的具有特定镂空图案的活动膜板;(2)、在电铸加工过程中,活动膜板置于阴阳极之间,使活动膜板与阴极根据沉积物的高度作相对间断移动,即:(a)、电铸开始时,将活动膜板与阴极贴合,用电源供电,电沉积发生,此时称为第一次电沉积;(b)、电铸一定时间后,断开电源,活动膜板在电铸结构的高度生长方向移动一定距离,使其距阴极为δi,δi为第i次电沉积时活动膜板与阴极表面距离,其中i=1,2,3,…,k,…,k为自然数;(c)、再用电源供电电沉积发生,称第i次电沉积其中i=2,3,…,k,…,k为自然数;且活动膜板与阴极作相对间断移动时,受以下关系的约束:i=1:H=0,δ1=0,h1<=t;i=k:H=h1+h2+…+hk-1,δk-1<δk<=H,hk<=δk+t-H,i=2,3,…,k,…,k为自然数;其中:t为活动膜板厚度,hi为第i次电沉积时沉积的金属层厚度,H为第i次电沉积前已铸微结构的高度;(d)、重复上述(b)和(c)步骤,直到达到微结构的高度要求。 |
法律状态: | 公开 , 实质审查的生效 , 发明专利申请公布后的视为撤回 , |