首页 > 一种基于酞菁/卟啉修饰的仿生光电转换膜及其制备方法
专利类型: | 发明专利 |
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申请(专利)号: | CN202211160126.6 |
申请日期: | 2022年9月22日 |
公开(公告)日: | 2023年1月17日 |
公开(公告)号: | CN115623793A |
主分类号: | H10K30/20,H,H10,H10K,H10K30 |
分类号: | H10K30/20,H10K71/00,C25D11/24,C25D11/04,H,C,H10,C25,H10K,C25D,H10K30,H10K71,C25D11,H10K30/20,H10K71/00,C25D11/24,C25D11/04 |
申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
发明(设计)人: | 范霞,贺有凤 |
主申请人地址: | 100000 北京市海淀区学院路37号 |
专利代理机构: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) |
代理人: | 齐宝玲 |
国别省市代码: | 北京;11 |
主权项: | 1.一种基于酞菁/卟啉修饰的仿生光电转换膜,其特征在于,所述仿生光电转换膜为三层,中间层为多孔AAO纳米通道膜;所述多孔AAO纳米通道膜包括大孔B端和小孔T端,所述大孔B端与ZnTsPc纳米纤维膜或FeTMPyP纳米纤维膜连接,所述小孔T端与ZnTsPc纳米纤维膜或FeTMPyP纳米纤维膜连接。 2.根据权利要求1所述的一种基于酞菁/卟啉修饰的仿生光电转换膜,其特征在于,所述多孔AAO纳米通道膜的膜厚为70-80μm,大孔B端的孔径为60-70nm,小孔T端的孔径为10-45nm。 3.根据权利要求1所述的一种基于酞菁/卟啉修饰的仿生光电转换膜,其特征在于,所述ZnTsPc纳米纤维膜的纤维宽度为55-70nm,FeTMPyP纳米纤维膜的纤维宽度为70-80nm。 4.一种根据权利要求1-3任一项所述的仿生光电转换膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)采用电化学阳极氧化法制备不对称的漏斗型AAO纳米通道膜,再用磷酸溶液对小孔T端一侧的阻挡层进行原位扩孔,清洗、吹干,得到多孔AAO纳米通道膜; (2)以超纯水为溶剂,分别配制ZnTsPc溶液和FeTMPyP溶液; (3)将步骤(1)所得的多孔AAO纳米通道膜置于电解池两个玻璃槽中间的连通处,在大孔B端一侧的槽体内注入步骤(2)所得的ZnTsPc溶液或FeTMPyP溶液,小孔T端一侧的槽体内注入超纯水,于避光处静置,用超纯水冲洗、烘干,得到B端自组装纳米纤维膜的AAO膜; (4)将步骤(3)所得的B端自组装纳米纤维膜的AAO膜置于电解池两个玻璃槽中间的连通处,在大孔B端一侧的槽体内注入超纯水,小孔T端一侧的槽体内注入步骤(2)所得的ZnTsPc溶液或FeTMPyP溶液,于避光处静置,用超纯水冲洗、晾干,得到仿生光电转换膜。 5.根据权利要求4所述的一种基于酞菁/卟啉修饰的仿生光电转换膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述磷酸溶液的浓度为6-12%,原位扩孔的时间为15-25min。 6.根据权利要求4所述的一种基于酞菁/卟啉修饰的仿生光电转换膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述ZnTsPc溶液的浓度为0.5-3mM,FeTMPyP溶液的浓度为0.5-5mM。 7.根据权利要求4所述的一种基于酞菁/卟啉修饰的仿生光电转换膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述纳米纤维膜包括ZnTsPc纳米纤维膜和FeTMPyP纳米纤维膜。 8.根据权利要求4所述的一种基于酞菁/卟啉修饰的仿生光电转换膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)和步骤(4)中,注入ZnTsPc溶液时,于避光处静置的时间为30-180min;注入FeTMPyP溶液时,于避光处静置的时间为30-150min。 9.根据权利要求4所述的一种基于酞菁/卟啉修饰的仿生光电转换膜的制备方法,其特征在于,步骤(4)中所述仿生光电转换膜包括ZnTsPc仿生光电转换膜、FeTMPyP仿生光电转换膜、ZnTsPc-FeTMPyP仿生光电转换膜和FeTMPyP-ZnTsPc仿生光电转换膜。 10.一种根据权利要求1所述仿生光电转换膜在光能和渗透能协同下的能量转换中的应用。 |
法律状态: | 公开 , |