知识导航
资源分类
找到 213 项标准 首页 > 半金属与半导体材料

冶金

展开标准分类

全部

冶金

半金属与半导体材料

展开发布日期

21项 2015

25项 2014

12项 2013

8项 2012

9项 2011

4项 2010

35项 2009

2项 2008

5项 2007

9项 2006

5项 2005

1项 2004

12项 2003

4项 2002

3项 2001

2项 1999

6项 1998

1项 1997

10项 1996

7项 1995

2项 1994

6项 1993

3项 1992

2项 1990

6项 1989

1项 1987

1项 1986

2项 1983

3项 1978

1项 1966

1项 1962

发布日期:-
全部 仅全文

 导出 excel导出 txt

  • 1 高纯四氯化锗 -
  • YS/T 13-2015 - 中外标准 - HBBASE- 2015/1 - 现行

  • 2 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法 -
  • SJ/T 11488-2015 - 中外标准 - HBBASE- 2015/1 - 现行

  • 3 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 -
  • SJ/T 11487-2015 - 中外标准 - HBBASE- 2015/1 - 现行

  • 4 改良西门子法多晶硅用硅芯 -
  • YS/T 1061-2015 - 中外标准 - HBBASE- 2015/1 - 现行

  • 5 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 -
  • SJ/T 11504-2015 - 中外标准 - HBBASE- 2015/1 - 现行

  • 6 蓝宝石单晶抛光片规范 -
  • SJ/T 11505-2015 - 中外标准 - HBBASE- 2015/1 - 现行

  • 7 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 -
  • SJ/T 11503-2015 - 中外标准 - HBBASE- 2015/1 - 现行

  • 8 碳化硅单晶抛光片规范 -
  • SJ/T 11502-2015 - 中外标准 - HBBASE- 2015/1 - 现行

  • 9 碳化硅单晶晶型的测试方法 -
  • SJ/T 11501-2015 - 中外标准 - HBBASE- 2015/1 - 现行

  • 10 碳化硅单晶晶向的测试方法 -
  • SJ/T 11500-2015 - 中外标准 - HBBASE- 2015/1 - 现行

共 22 页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 下一页 末页

知识产权声明| 服务承诺| 联系我们| 人才招聘| 客户服务| 关于我们

京ICP证:010071  互联网出版许可证:新出网证(京)字042号  京公网安备11010802020237号
万方数据知识服务平台--国家科技支撑计划资助项目(编号:2006BAH03B01)©北京万方数据股份有限公司  万方数据电子出版社